PSMN9R8-30MLC,115 零件图片（仅供参考）
PSMN9R8-30MLC,115 规格参数
- NXP恩智浦完整型号：PSMN9R8-30MLC,115
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：50A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：9.8 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.95V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.9nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：690pF @ 15V
- 功率 - 最大值：45W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-1210， 8-LFPAK33 （5 根引线）
- 供应商器件封装：LFPAK33
- PSMN9R8-30MLC,115，飞思卡尔（Freescale，NXP恩智浦）产品一站式供应商。
