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PSMN7R6-60XSQ 零件图片(仅供参考)

PSMN7R6-60XSQ
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PSMN7R6-60XSQ 规格参数

  • 型号:PSMN7R6-60XSQ
  • 品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
  • 封装:TO-220F
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 51.5A TO220F
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):51.5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.8 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.6V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):38.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2651 pF @ 30 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):46W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220F
  • 封装/外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片
  • PSMN7R6-60XSQ,飞思卡尔(Freescale,NXP恩智浦)产品一站式供应商。
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PSMN7R6-60XSQ 基本参数:

  • 电子零件型号:PSMN7R6-60XSQ
  • 原始制造厂商:飞思卡尔(Freescale,已被NXP恩智浦收购)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 60V 51.5A TO220F
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询PSMN7R6-60XSQ的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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