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PSMN6R3-120ESQ 零件图片（仅供参考）

PSMN6R3-120ESQ
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PSMN6R3-120ESQ 规格参数

  • NXP恩智浦完整型号：PSMN6R3-120ESQ
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：120V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：70A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.7 毫欧 @ 25A， 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：207.1nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：11384pF @ 60V
  • 功率 - 最大值：405W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-262-3，长引线，IPak，TO-262AA
  • 供应商器件封装：TO-262-3
  • PSMN6R3-120ESQ，飞思卡尔（Freescale，NXP恩智浦）产品一站式供应商。
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PSMN6R3-120ESQ 基本参数：

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