PSMN3R3-80BS,118 零件图片（仅供参考）
PSMN3R3-80BS,118 规格参数
- NXP恩智浦完整型号：PSMN3R3-80BS,118
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：80V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.5 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：111nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8161pF @ 40V
- 功率 - 最大值：306W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：D2PAK
- PSMN3R3-80BS,118，飞思卡尔（Freescale，NXP恩智浦）产品一站式供应商。
