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PSMN1R6-40YLC:115 零件图片（仅供参考）

PSMN1R6-40YLC:115
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PSMN1R6-40YLC:115 规格参数

  • NXP恩智浦完整型号：PSMN1R6-40YLC:115
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 40V 100A POWERSO8-4
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：40V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.55 毫欧 @ 25A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.95V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：126nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7790pF @ 20V
  • 功率 - 最大值：288W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-1023， 4-LFPAK
  • 供应商器件封装：LFPAK56， Power-SO8
  • PSMN1R6-40YLC:115，飞思卡尔（Freescale，NXP恩智浦）产品一站式供应商。
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PSMN1R6-40YLC:115 基本参数：

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