PMZB370UNE,315 零件图片（仅供参考）
PMZB370UNE,315 规格参数
- NXP恩智浦完整型号：PMZB370UNE,315
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：900mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：490 毫欧 @ 500mA， 4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.05V @ 250A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.16nC @ 15V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：78pF @ 25V
- 功率 - 最大值：360mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：3-XFDFN
- 供应商器件封装：3-DFN1006B（0.6x1）
- PMZB370UNE,315，飞思卡尔（Freescale，NXP恩智浦）产品一站式供应商。
