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PMZB200UNEYL 零件图片(仅供参考)

PMZB200UNEYL
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PMZB200UNEYL 规格参数

  • NXP恩智浦完整型号: PMZB200UNEYL
  • 制造商:NXP(恩智浦半导体)
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 30V SOT883
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 30V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 1.4A(Ta)
  • 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 250 毫欧 @ 1.4A,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 950mV @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 2.7nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 89pF @ 15V
  • 功率 - 最大值: 350mW
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: 3-XFDFN
  • 供应商器件封装: DFN1006B-3
  • PMZB200UNEYL,飞思卡尔(Freescale,NXP恩智浦)产品一站式供应商。
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PMZB200UNEYL 基本参数:

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