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PMXB65UPEZ 零件图片（仅供参考）

PMXB65UPEZ
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PMXB65UPEZ 规格参数

  • NXP恩智浦完整型号: PMXB65UPEZ
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 功能总体简述: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压（Vdss）: 12V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3.2A（Ta）
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 72 毫欧 @ 3.2A，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 12nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 634pF @ 6V
  • 功率 - 最大值: 317mW
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: 3-XDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装: DFN1010D-3
  • PMXB65UPEZ，飞思卡尔（Freescale，NXP恩智浦）产品一站式供应商。
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PMXB65UPEZ 基本参数：

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