PMGD8000LN,115 零件图片（仅供参考）
PMGD8000LN,115 规格参数
- 型号:PMGD8000LN,115
- 品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
- 封装:6-TSSOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):125mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.35nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:18.5pF @ 5V
- 功率 - 最大值:200mW
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装:6-TSSOP
- PMGD8000LN,115，飞思卡尔（Freescale，NXP恩智浦）产品一站式供应商。
