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PMEG2010BEV,115 零件图片（仅供参考）

PMEG2010BEV,115
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PMEG2010BEV,115 规格参数

  • NXP恩智浦完整型号：PMEG2010BEV,115
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT666
  • 系列：-
  • 二极管类型：肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：20V
  • 电流 - 平均整流 (Io)：1A（DC）
  • 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：500mV @ 1A
  • 速度：快速恢复 = 200mA（Io）
  • 反向恢复时间 (trr)：-
  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：200A @ 20V
  • 不同 Vr、F 时的电容：80pF @ 1V，1MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
  • 供应商器件封装：SOT-666
  • 工作温度 - 结：150°C （最大）
  • PMEG2010BEV,115，飞思卡尔（Freescale，NXP恩智浦）产品一站式供应商。
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PMEG2010BEV,115 基本参数：

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