PMDT290UNE,115 零件图片（仅供参考）
PMDT290UNE,115 规格参数
- NXP恩智浦完整型号：PMDT290UNE,115
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
- 系列：-
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：800mA
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 500mA，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.68nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：83pF @ 10V
- 功率 - 最大值：500mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装：SOT-666
- PMDT290UNE,115，飞思卡尔（Freescale，NXP恩智浦）产品一站式供应商。
