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PEMD13,115 零件图片（仅供参考）

PEMD13,115
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PEMD13,115 规格参数

  • 型号:PEMD13,115
  • 品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列，预偏置
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
  • 系列:*
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 晶体管类型:-
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:-
  • 电阻器 - 基极 (R1):-
  • 电阻器 - 发射极 (R2):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:-
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:-
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:-
  • 频率 - 跃迁:-
  • 功率 - 最大值:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
  • PEMD13,115，飞思卡尔（Freescale，NXP恩智浦）产品一站式供应商。
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PEMD13,115 基本参数：

  • 电子零件型号：PEMD13,115
  • 原始制造厂商：飞思卡尔（Freescale，已被NXP恩智浦收购）
  • 技术标准参数：TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
  • 产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列，预偏置
  • 点击此处查询PEMD13,115的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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