BUK9MJT-55PRF,518 零件图片（仅供参考）
BUK9MJT-55PRF,518 规格参数
- NXP恩智浦完整型号：BUK9MJT-55PRF,518
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC
- 系列：-
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：55V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：13.8 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
- 功率 - 最大值：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
- 供应商器件封装：20-SO
- BUK9MJT-55PRF,518，飞思卡尔（Freescale，NXP恩智浦）产品一站式供应商。
